[평택시민신문] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드 플래시 메모리를 생산라인을 증설하기 위해 8조원을 투자한다. 지난달 21일 평택에 극자외선(EUV) 반도체를 생산하기 위한 파운드리(위탁생산) 시설 구축 발표에 이은 대규모 투자계획이다. 이는 ‘초격차’ 전략으로 경쟁사들과 거리를 벌리려는 뜻으로 해석된다.

삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 낸드 플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며 2021년 하반기부터 생산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다.

평택캠퍼스는 지난 2015년 조성됐으며 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설된다. 이번 투자로 증설된 라인에는 삼성전자의 최첨단 V(수직구조)낸드 제품이 양산될 예정이다.

특히 이번 투자 결정은 4차 산업혁명 도래, 5G 보급과 최근 언택트(비대면) 라이프스타일의 확산에 따른 중장기 낸드 플래시 수요 확대에 대응하기 위한 것으로 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 방침이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 또한 지난 2013년 1세대 V낸드 양산을 시작으로 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영하고 있다.